HS 854232 - recuerdos
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subheadingMemorias de circuitos integrados electrónicos (MCO) multicomponentes; Para 2022, los especificados en la nota 12 (b)(3,4) del capítulo, antes de los especificados en la nota 9 (b)…
DetalleOtras memorias electrónicas de circuitos integrados; Para 2022, los especificados en la nota 12 (b)(3,4) del capítulo, antes de los especificados en la nota 9 (b)(3,4) del capítulo
DetalleMemorias principales dinámicas de acceso aleatorio (D-RAM); capacidad de memoria <= 512 Mbits
DetalleMemorias principales dinámicas de acceso aleatorio (D-RAM); capacidad de memoria > 512 Mbits
DetalleMemorias principales estáticas de acceso aleatorio (S-RAM) (incluidas las memorias caché de acceso aleatorio (cache-RAM))
DetalleMemorias de solo lectura, programables y borrables por rayos UV (EPROM)
DetalleMemorias flash borrables eléctricamente, programables y de sólo lectura (E2PROM); Capacidad de memoria: <= 512 Mbit
DetalleMemorias flash borrables eléctricamente, programables y de sólo lectura (E2PROM); capacidad de memoria: > 512 Mbits
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