854232
HS 854232 - souvenirs
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subheadingHS 854232 - souvenirs | TR2B HSBOT
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85423211
Mémoires de circuits intégrés électroniques (MCO) multicomposants ; Pour 2022, ceux précisés à la note 12 (b)(3,4) du chapitre, avant ceux précisés à la note 9 (b)(3,4) du chapitre
Mémoires de circuits intégrés électroniques (MCO) multicomposants ; Pour 2022, ceux précisés à la note 12 (b)(3,4) du chapitre, avant ceux précisés à la note 9 (b)(3,4) du chapitre
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85423219
Autres mémoires de circuits intégrés électroniques ; Pour 2022, ceux précisés à la note 12 (b)(3,4) du chapitre, avant ceux précisés à la note 9 (b)(3,4) du chapitre
Autres mémoires de circuits intégrés électroniques ; Pour 2022, ceux précisés à la note 12 (b)(3,4) du chapitre, avant ceux précisés à la note 9 (b)(3,4) du chapitre
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85423231
Mémoires principales dynamiques à accès aléatoire (D-RAM) ; capacité mémoire <= 512 Mbits
Mémoires principales dynamiques à accès aléatoire (D-RAM) ; capacité mémoire <= 512 Mbits
Détail
85423239
Mémoires principales dynamiques à accès aléatoire (D-RAM) ; capacité mémoire > 512 Mbits
Mémoires principales dynamiques à accès aléatoire (D-RAM) ; capacité mémoire > 512 Mbits
Détail
85423245
Mémoires principales statiques à accès aléatoire (S-RAM) (y compris les caches à accès aléatoire (cache-RAM))
Mémoires principales statiques à accès aléatoire (S-RAM) (y compris les caches à accès aléatoire (cache-RAM))
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85423255
Mémoires mortes (EPROM) effaçables aux UV, programmables
Mémoires mortes (EPROM) effaçables aux UV, programmables
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85423261
Mémoires flash effaçables électriquement, programmables et en lecture seule (E2PROM) ; capacité mémoire : <= 512 Mbits
Mémoires flash effaçables électriquement, programmables et en lecture seule (E2PROM) ; capacité mémoire : <= 512 Mbits
Détail
85423269
Mémoires flash effaçables électriquement, programmables et en lecture seule (E2PROM) ; capacité mémoire : > 512 Mbits
Mémoires flash effaçables électriquement, programmables et en lecture seule (E2PROM) ; capacité mémoire : > 512 Mbits
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