HS 854232 - воспоминания
воспоминания
subheadingвоспоминания
Открыть страницувоспоминания
subheadingПамять многокомпонентных электронных интегральных схем (MCO); На 2022 год - указанные в примечании 12 (б)(3,4) к главе, раньше указанных в примечании 9 (б)(3,4) к главе.
ДеталиДругие электронные запоминающие устройства на интегральных схемах; На 2022 год - указанные в примечании 12 (б)(3,4) к главе, раньше указанных в примечании 9 (б)(3,4) к главе.
ДеталиДинамическая основная память с произвольным доступом (D-RAM); объем памяти <= 512 Мбит
ДеталиДинамическая основная память с произвольным доступом (D-RAM); объем памяти > 512 Мбит
ДеталиСтатиче��кая основная память с произвольным доступом (S-RAM) (включая кэши с произвольным доступом (cache-RAM))
ДеталиПрограммируемые постоянные запоминающие устройства (EPROM), стираемые УФ-излучением.
ДеталиЭлектрически стираемая, программируемая и постоянная флэш-память (E2PROM); объем памяти: <= 512 Мбит
ДеталиЭлектрически стираемая, программируемая и постоянная флэш-память (E2PROM); объем памяти: > 512 Мбит
Детали